靶材磁控濺射的沉積率也就是沉積的速率，是指沉積物對(duì)可容空間充填的速度。濺射沉積率不僅是成膜速度的一個(gè)重要參數(shù)，也是對(duì)靶材成膜的特性，如牢固度。薄膜應(yīng)力、表面光潔度等有很大的影響，關(guān)于影響靶材磁控濺射沉積率的因素，凱澤金屬結(jié)合相關(guān)資料，分享如下：
1、工作氣壓
隨著氬氣分壓，也就是工作氣壓的變化，靶電壓、真空度也會(huì)隨之變化，相應(yīng)的就影響到靶材薄膜的沉積速率。有實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，沉積速率隨工作氣壓的增大而先增大后減小。當(dāng)氬氣流量過大時(shí)，濺射粒子與氬氣碰撞次數(shù)大大增多，粒子能量在碰撞過程中大大損失，致使濺射粒子達(dá)不到基片或無力沖破氣體吸附層，于是便不能形成薄膜，或雖然勉強(qiáng)沖破氣體吸附層，但與基片的吸附能卻很小，因此沉積速率降低。
2、濺射電壓
在磁控靶前磁場(chǎng)控制區(qū)域間的等離子體越強(qiáng)烈和密集，靶材上的原子脫離率就越高。在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大；也就是說入射離子的能量越大，濺射系數(shù)也越大。在濺射沉積所需的能量范圍內(nèi)，其影響是緩和漸變的。
3、靶基間距
靶基間距指的是靶源與基片的間距，當(dāng)在靶功率恒定的情況下，靶基距小時(shí)，沉積速率沿徑向成正態(tài)分布，嚴(yán)重影響淀積均勻性；當(dāng)靶基距增大，均勻性增強(qiáng)，但當(dāng)靶基距繼續(xù)增大，雖然均勻性更強(qiáng)，但沉積速率明顯下降。這是因?yàn)楫?dāng)靶材和基片距離較近時(shí)，鍍膜區(qū)等離子密度較高而且氣體散射的作用很小，薄膜沉積速率都很高。而隨著靶基距的增大，被濺射材料射向基片時(shí)與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時(shí)等離子密度也減弱，動(dòng)能減少，因此薄膜沉積速率減少。
4、濺射電流
磁控靶材的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對(duì)沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個(gè)：一個(gè)是提高工作電壓；另一個(gè)是適當(dāng)提高工作氣體壓力。沉積速率對(duì)應(yīng)有一個(gè)氣壓值，在該氣體壓力下，其相對(duì)沉積率大，這個(gè)現(xiàn)象是磁控濺射的共同規(guī)律。在不影響膜層質(zhì)量或滿足用戶要求的前提下，由濺射產(chǎn)額來考慮氣體壓力的理想值是比較合適的。
5、濺射功率
一般來說，磁控靶的濺射功率增高時(shí)，薄膜的沉積率速率也會(huì)變大。這里有一個(gè)先決條件，就是加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰陽(yáng)極間電場(chǎng)中獲得的能量，足以大過靶材的“濺射能量閥值”。有的時(shí)候，磁控靶的濺射電壓很低，濺射電流也比較高，雖然平均濺射功率不低，卻會(huì)出現(xiàn)靶材離子濺射出不來，不能發(fā)生濺射沉積成膜的情況。
以上就是關(guān)于影響靶材磁控濺射沉積率的因素，沉積率是靶材的磁控濺射中一個(gè)重要參數(shù)，記錄靶材磁控濺射沉積率，可以幫助了解轟擊靶面離子的能量的高低和正確估計(jì)靶材離子的沉積狀況，也對(duì)后面分析真空鍍膜的問題有很好的幫助。寶雞市凱澤金屬材料有限公司是一家研發(fā)生產(chǎn)鈦靶、鉻靶、鋯靶、鎳靶、鈦鋁靶、鈦絲、鈦加工件、鈦鍛件等金屬材料為主的高新技術(shù)企業(yè)，十余年專注于濺射靶材、鍍膜靶材、平面多弧靶材研發(fā)、生產(chǎn)，靶材組織結(jié)構(gòu)均勻、濺射成膜性能優(yōu)異，如果您對(duì)靶材有疑問或需要，歡迎聯(lián)系凱澤金屬。
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